二、填空题：（本大题共10小题，每题２分，总计20分）1，________、________2，________________3，________________________________________4，________________________________________________5，/6，________7，________8，________9，________10，________

步骤 1：理解集成电路的集成度
集成电路的集成度是指芯片上晶体管的数目，是衡量集成电路复杂度和功能的重要指标。
步骤 2：了解集成电路的特征尺寸
特征尺寸是指集成电路中最小的几何尺寸，通常以纳米为单位，是衡量集成电路制造工艺水平的重要指标。
步骤 3：理解有源区和场区
有源区是指集成电路中晶体管的沟道区域，场区是指晶体管的栅极区域。
步骤 4：了解集成电路的摩尔定律
摩尔定律指出，集成电路的集成度每隔 18 个月增加一倍或每 3 年翻两番，这是集成电路技术发展的基本规律。
步骤 5：理解无生产线（Fabless）和代工（Foundry）
无生产线（Fabless）是指只负责设计和销售集成电路，而不负责制造的公司。代工（Foundry）是指只负责制造集成电路，而不负责设计和销售的公司。
步骤 6：理解阈值电压
阈值电压是指晶体管从截止状态转变为导通状态时的栅极电压。
步骤 7：理解图形转移
图形转移是指将设计好的电路图形转移到硅片上的过程。
步骤 8：理解扩散薄层的杂质总量
扩散薄层的杂质总量是指在硅片上扩散形成的杂质层中杂质的总量。
步骤 9：理解外延、氧化、蒸发、淀积
外延是指在硅片上生长一层单晶硅的过程。氧化是指在硅片上生长一层二氧化硅的过程。蒸发是指将金属材料蒸发到硅片上形成金属层的过程。淀积是指将金属材料淀积到硅片上形成金属层的过程。
步骤 10：理解器件的工作速度
器件的工作速度是指集成电路中晶体管的开关速度，是衡量集成电路性能的重要指标。